르네사스 테크놀러지는, 모터 구동용의H브릿지·드라이버LSI「R2J25953」(을)를 발매한다.자동차의 도어나 산업 기기등의DC모터 제어에 이용할 수 있다.
두 개의 하이·사이드용MOSFET(와)과 로·사이드용MOSFET, 드라이버IC를 집적한다.하이·사이드용MOSFET의 온 저항은 최대16mΩ, 로·사이드용MOSFET(은)는 최대11mΩ.또, 대기시의 소비 전류는 최대30μA.보호 기능으로서LVI(Low Voltage Inhibit)(이)나 과전류, 과열등의 보호 회로를 내장한다.
동작 전압은5V~16V, 입력 전압은0.3V~16V, 출력전압은0.3V~16V.최대 출력 전류는50A이다.
패키지의 외형 치수는15.9mm×14.2mm.2012년1달부터 양산 출하를 개시할 예정.
반응형