[TMS320C6720] EMIF 테스트
TMS320C6720의 외부 메모리는 0x9000 0000에 CS2가 할당되어 있다.
SRAM용으로 /CS가 하나 밖에 없는것이 아쉽다.
아래 코드로 테스트 결과 EMIF신호가 정상적으로 출력되는 것을 확인할 수 있다.
타이밍 조절만 좀 해주면 될것 같다.
Asynchronous SRAM 제어시 두가지 모드가 있다.
WE Strobe Mode - > 16비트 Write모드
Select Strobe Mode -> Byte Wrie모드
외부로 연결되는 /RD신호는 /OE에 연결해야 하는데 EM_RW에 연결 했다. NOR Flash에 연결되어 있는 /OE에서 점퍼를 날릴 필요가 있다.
EM_RW (Read/Write select pin.)
This pin is high for the duration of an asynchronous read access cycle and low for the duration of an
asynchronous write access cycle.
EM_OE (Active-low pin enable for asynchronous devices.)
This pin provides a signal which is active-low during the strobe period of an asynchronous read
access cycle.
TMS320C6720의 외부 메모리는 0x9000 0000에 CS2가 할당되어 있다.
SRAM용으로 /CS가 하나 밖에 없는것이 아쉽다.
아래 코드로 테스트 결과 EMIF신호가 정상적으로 출력되는 것을 확인할 수 있다.
타이밍 조절만 좀 해주면 될것 같다.
#define LCD_DATA *(volatile unsigned short*)(0x90000000)
while(1)
{
LCD_DATA = 0xFFFF;
Delay(100);
LCD_DATA = 0x0000;
Delay(100);
}
while(1)
{
LCD_DATA = 0xFFFF;
Delay(100);
LCD_DATA = 0x0000;
Delay(100);
}
Asynchronous SRAM 제어시 두가지 모드가 있다.
WE Strobe Mode - > 16비트 Write모드
Select Strobe Mode -> Byte Wrie모드
외부로 연결되는 /RD신호는 /OE에 연결해야 하는데 EM_RW에 연결 했다. NOR Flash에 연결되어 있는 /OE에서 점퍼를 날릴 필요가 있다.
EM_RW (Read/Write select pin.)
This pin is high for the duration of an asynchronous read access cycle and low for the duration of an
asynchronous write access cycle.
EM_OE (Active-low pin enable for asynchronous devices.)
This pin provides a signal which is active-low during the strobe period of an asynchronous read
access cycle.
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